권오현(權五鉉) 선생

권오현(權五鉉) 선생

1971 ~ 1975
서울대학교 공과대학 전기공학과
공학사
1975 ~ 1977
KAIST 전기전자공학과 석사
1980 ~ 1985
Stanford대학교 전기공학 박사

경력

1977 ~ 1980
전자통신연구소 연구원
1985 ~ 1988
미국 삼성반도체연구소 연구원
1988 ~ 2003
삼성전자 반도체부문
2004 ~ 2008
삼성전자 SLSI 사업부 사장
2008 ~ 2012
삼성전자 DS부문 부문장
2012 ~ 2018
삼성전자 대표이사 부회장
2018 ~ 現
삼성전자 종합기술원 회장

상훈

1997
제6회 다산기술상 기술상
2002
산업자원부 제29회 무역의 날 석탑산업훈장
2009
제25회 국가품질경영대회 금탑산업훈장
2012
제26회 인촌상 산업기술부문
2014
2014년 대한민국 최고과학기술인상
제46회 한국능률협회 한국의 경영자상

저서

2018
초격차

공적

1975년 본교 전기공학과를 졸업하신 권오현 선생께서는 박사학위 취득 후 1985년 삼성전자 반도체 분야 연구원으로서 반도체 분야 신기술 개발에 본격적으로 참여하기 시작하셨습니다. 선생은 1980년대 4M DRAM 개발과 1990년대 64M DRAM 세계 첫 개발에 주도적으로 참여하면서 삼성전자가 256M, 1G DRAM 등 4세대 반도체 기술에서 세계적 선도 기업으로 도약하는 기틀을 마련하셨습니다.
선생은 국제적인 반도체 전문가로 반도체 신기술 개발 및 신시장 개척을 위한 주도적 역할을 해 오셨습니다. 이를 통해 우리나라 국가 경쟁력의 획기적 향상과 국제적 위상 제고에 크게 기여하셨습니다.