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연구성과

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국양·송영재 ‘그래핀’ 전자구조 규명

2010.11.29.

국양·송영재 ‘그래핀’ 전자구조 규명

국양 물리·천문학부 교수와 송영재 미국표준기술연구원 박사후 연구원이 공동으로 반도체 재료인 실리콘의 대체 소재로 각광받는 ‘그래핀’의 전자구조를 규명한 논문이 네이처에 실렸다.

그래핀은 탄소 원자가 층층이 쌓여 만들어진 흑연에서 한 층을 벗겨낸 상태의 탄소 단원자층을 말한다. 2004년 처음 발견했다. 연구팀은 미국표준기술연구원이 지난해 제작한 초고진공주사형터널링현미경으로 그래핀 안의 전자 구조를 고해상도로 측정해, 높은 자기장 안에서 그래핀이 네가지 준위의 전자 상태로 분리되는 것을 처음 확인했다. 국양 교수는 “이번 연구로 그래핀의 전자 구조가 확실히 이해되고, 그래핀을 이용해 열 손실이 적은 초소형 초고속 조사의 제작이 가능하다는 점을 증명했다”고 말했다.